二維材料由于其出色的性能,在汽車(chē)、半導體、石油化學(xué)和飛機發(fā)動(dòng)機等多個(gè)行業(yè)中至關(guān)重要。理解二維材料的微觀(guān)結構、缺陷以及機械或電學(xué)特性對于其在先進(jìn)技術(shù)中的應用至關(guān)重要,而有效制造和質(zhì)量控制是發(fā)揮其潛力的關(guān)鍵。
Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機,同時(shí)獲取掃描電鏡 SEM 和 原子力顯微鏡 AFM 數據,并且實(shí)現自動(dòng)關(guān)聯(lián)??梢詫?shí)現對薄片的精確位置定位和表面分析,在單次采集中檢測多個(gè)薄片特征,能夠對二維材料的機械、電學(xué)、壓電、磁學(xué)、化學(xué)等多種性質(zhì)進(jìn)行表征和對比。
"低維材料基礎研究:適用于石墨烯、六方氮化硼(BNNSs)、過(guò)渡金屬二硫化物(TMDCs)、MXenes 等低維材料的基礎研究,包括新材料、功能化材料和異質(zhì)結構材料。
制備工藝:在二維材料制備過(guò)程中用于質(zhì)量控制和診斷,確保制造過(guò)程的可重復性和可靠性,同時(shí)進(jìn)行缺陷表征。"
案例一 :
TMDC 材料,由于其優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),在光電子器件、傳感器、催化劑和電化學(xué)能源存儲領(lǐng)域有巨大潛力。其單層的制造條件需要深入理解,以確??煽亢涂芍貜偷男阅?,如柔韌性、電學(xué)或機械性能。常見(jiàn)的 TMDC 材料包括二硫化鉬(MoS2)、二硒化鎢(WSe2)等,它們在二維材料領(lǐng)域具有重要地位。
使用 Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機,可以對通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)在厚 SiO2/Si 上生長(cháng)的 MoS2 薄片進(jìn)行精確和復雜分析。對兩組不同制備條件的樣品同時(shí)進(jìn)行了掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、靜電力顯微鏡(EFM)和相位成像測量,以比較結果并確定實(shí)現所需樣品特征的最佳制備參數。
"
SEM:利用成分襯度差異,快速定位薄片。
AFM:可精確獲取二維材料表面粗糙度及高度。
EFM:用于觀(guān)察表面電荷分布和施加偏壓時(shí)的電響應。
相位成像:能夠識別更硬的薄片和更軟的基底,還可以檢測額外生長(cháng)層的邊緣。
"
案例二:
TBLG 因其能夠創(chuàng )造新的可調電子行為而被研究。扭曲影響帶隙的大小和形狀,導致原子結構的周期性調制,這在電學(xué)屬性中以莫爾圖案的形式可見(jiàn)。這些結構在傳感器、光子學(xué)和電子設備中很有前景。
使用 SEM,導電原子力顯微鏡(C-AFM)和壓電力顯微鏡(PFM)分析獲取扭曲雙層石墨烯(TBLG)的莫爾圖案。
"
使用 Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機,對在碳化硅(SiC)上的石墨烯雙層進(jìn)行電學(xué)性質(zhì)測量,樣品上的不同 PFM 和 C-AFM 對比表明,扭曲和未扭曲的石墨烯雙層都存在。重點(diǎn)關(guān)注扭曲部分,可以觀(guān)察到以 45 納米周期性的莫爾圖案的調制。"