作者:科羅拉多大學(xué) Amanda L. Hoskins 等人
文章:Nonuniform Growth of Sub?2 Nanometer Atomic Layer Deposited Alumina Films on Lithium Nickel Manganese Cobalt Oxide Cathode Battery Materials
摘要
鋰離子電池的廣泛應用在很大程度上依賴(lài)于正極材料的性能。然而,這些材料在循環(huán)過(guò)程中容易出現容量衰減、過(guò)渡金屬溶解和結構失穩等問(wèn)題,限制了電池的使用壽命和穩定性。鋰鎳錳鈷氧化物(LiNi0.33Mn0.33Co0.33O2,簡(jiǎn)稱(chēng)NMC111)是一種高效的正極材料,但其穩定性較差,尤其是在高電壓條件下。
表面工程是解決這些問(wèn)題的重要策略,其中,通過(guò)涂覆薄膜保護正極顆粒表面可有效減少電解質(zhì)與活性材料之間的副反應。原子層沉積(ALD)技術(shù)因其精確的厚度控制和高均勻性,成為研究熱點(diǎn)。然而,大多數研究假設 ALD 涂層為均勻覆蓋,忽視了薄膜在低循環(huán)數下的非均勻性及其對電池性能的潛在影響。本文作者借助 Forge Nano 流化床原子層沉積系統,通過(guò)多種表面分析技術(shù),系統研究了低循環(huán)數 ALD 氧化鋁涂層在 NMC111 表面的非均勻生長(cháng)特性及其對電池性能的影響,為優(yōu)化涂層設計提供了新的思路。
實(shí)驗方法
本研究選用商業(yè)化的NMC111(LiNi0.33Mn0.33Co0.33O2)作為研究對象,通過(guò)使用 Forge Nano 流化床原子層沉積系統進(jìn)行ALD氧化鋁薄膜的沉積。實(shí)驗中,氧化鋁 ALD 薄膜通過(guò) TMA/水反應在 NMC111 顆粒表面生長(cháng),反應溫度為 120°C。通過(guò)低能離子散射(LEIS)和二次離子質(zhì)譜(SIMS)等表征手段,對不同 ALD 循環(huán)次數下薄膜的生長(cháng)特性進(jìn)行了深入分析。
結果與討論
1.ALD 薄膜的非均勻生長(cháng)特性
通過(guò) LEIS 和 SIMS 分析,研究發(fā)現在低循環(huán)次數下,ALD 氧化鋁薄膜在 NMC111 顆粒表面的生長(cháng)是非均勻的。在低于 10 個(gè) ALD 循環(huán)時(shí),薄膜并未全覆蓋顆粒表面,而是優(yōu)先在過(guò)渡金屬結合位點(diǎn)上沉積,而對表面的鋰覆蓋較少。即使在 10 個(gè) ALD 循環(huán)后,鋰仍然存在于正極粉末表面。這一發(fā)現與現有假設相悖,即 ALD 薄膜在顆粒上均勻生長(cháng)并全覆蓋表面。
2.ALD 薄膜對電池性能的影響
盡管 ALD 薄膜在 NMC111 顆粒表面的沉積是非均勻的,但研究表明這種非均勻性可能對電池性能有積極影響。非均勻的 ALD 薄膜在穩定過(guò)渡金屬氧化物的同時(shí),并未阻斷鋰離子的插層通道,從而在電解液存在的情況下提高了電池正極活性材料的循環(huán)穩定性。這一發(fā)現證實(shí)了在 ALD 涂層正極顆粒的合成表面上鋰仍然暴露,并且當使用少于 10 個(gè) ALD 循環(huán)時(shí),ALD 薄膜是非均勻生長(cháng)的。
3.ALD 薄膜生長(cháng)機制的探討
鋰離子電池的廣泛應用在很大程度上依賴(lài)于正極材料的性能。然而,這些材料在循環(huán)過(guò)程中容易出現容量衰減、過(guò)渡金屬溶解和結構失穩等問(wèn)題,限制了研究進(jìn)一步探討了 ALD 薄膜的生長(cháng)機制。
結果表明,ALD 過(guò)程以復雜的方式發(fā)展,初始沉積優(yōu)先覆蓋了 Mn、Co 和 Ni 過(guò)渡金屬氧化物。超過(guò) 10 個(gè)循環(huán)后,Mn、Co 和 Ni 被全覆蓋,但 Al 信號持續增加,表明 ALD 層尚未全覆蓋表面。這一現象表明,一部分仍然暴露在外,且表面未被 ALD 層全覆蓋。
圖1展示了(a)鋁和(b)錳及鎳鈷特征峰的 LEIS 譜圖。隨著(zhù)循環(huán)次數的增加,鋁信號增加,同時(shí)錳和鎳鈷信號相應減少,表明薄膜正在基底表面形成。經(jīng)過(guò) 10 次氧化鋁 ALD 循環(huán)后,錳和鎳鈷的峰被全抑制。
圖2. 集成的 LEIS 數據表示隨著(zhù) ALD 循環(huán)次數增加的表面分數覆蓋情況。Mn、Co 和 Ni 在 10 個(gè)TMA/H2O ALD 循環(huán)后被全覆蓋。然而,表面的鋁尚未達到全薄膜的飽和狀態(tài),這表明 ALD 優(yōu)先在Mn、Co 和 Ni 位點(diǎn)上沉積,而留下 Li 未被覆蓋,直到形成連續薄膜。
通過(guò) TOF-SIMS 分析,證實(shí)了 LEIS 的結果,即盡管 LEIS 無(wú)法直接測量鋰,但過(guò)渡金屬位點(diǎn)的全覆蓋發(fā)生在整個(gè)表面全覆蓋之前。耦合這些結果表明,ALD過(guò)程中,氧化鋁通過(guò)優(yōu)先覆蓋過(guò)渡金屬位點(diǎn)從而形成涂層。但在低循環(huán)次數下,外層由 Li、Al 和 O 組成,這可能是由于循環(huán)的死Li以及內部 Li 遷移穿過(guò)基底和現有薄膜產(chǎn)生的表面位點(diǎn)。
圖3:來(lái)自 TOF-SIMS 分析的離子圖像。從上到下依次展示了 Li、Ni、Mn、Co 和 Al 信號的圖像,氧化鋁循環(huán)次數從左到右顯示。圖像顯示了隨著(zhù)氧化鋁在樣品上的沉積,Li 的濃度逐漸降低。然而,與代表Ni、Mn 和 Co 的信號相比,Li 信號并未被全抑制。Ni、Mn 和 Co 信號的抑制表明它們幾乎被全覆蓋。TOF-SIMS 圖像中顏色的強度與測量深度內的元素濃度相關(guān)。顏色強度可能相當主觀(guān),因此本研究的結果也通過(guò) 圖4 中呈現的信號計數以數值形式展示。15個(gè)循環(huán)的鋰圖像中可見(jiàn)的強度變化可以歸因于粒徑/曲率和z高度的大變化。
圖4:TOF-SIMS圖譜中 Li、Al、Ni、Mn 和 Co 的絕對信號計數。內嵌表格展示了經(jīng)過(guò) 4 個(gè)循環(huán)和 15 個(gè)循環(huán)的氧化鋁 ALD 后,NMC 正極主要成分(Li、Ni、Mn 和 Co)相對于未涂層樣品的殘余信號百分比。這些值清楚地表明,ALD 更傾向于在過(guò)渡金屬表面位點(diǎn)上沉積氧化鋁,并且在此處展示的 15 個(gè) ALD 循環(huán)內,未能實(shí)現表面鋰的全覆蓋,即使氧化鋁的厚度超過(guò) 1 納米。
圖5:對 LiOH、Li2CO3 和 NMC111 進(jìn)行 TMA/H2O ALD 循環(huán)后,比較了面積標準化的鋁(Al)重量百分比。ICPMS 得到的鋁重量百分比數據通過(guò)每個(gè)未涂層基底粉末的 BET 比表面積進(jìn)行了標準化。LiOH 上相較于 Li2CO3 更高的生長(cháng)速率表明,在 Al2O3 ALD 過(guò)程中,這些表面表現出不同的特性,這對于觀(guān)察到的 NMC 基底上 Al2O3 的生長(cháng)有重要影響??雌饋?lái)在最初的大約 9 個(gè) ALD 循環(huán)中發(fā)生了一些非 ALD 反應,可能是形成了 Li-Al 氧化物產(chǎn)物,直到從 10 到15 個(gè)循環(huán)時(shí)才沉積出典型的 Al2O3 ALD 薄膜。
圖6:使用 ALD 包覆后的 NCM111 材料的 EDS 分析
圖7:ALD 包覆 NCM111 材料的 TEM 圖像,顯示4 cycle 的包覆是不連續的涂層,15 cycle 的包覆形成了較為連續的涂層。
4 ALD 薄膜對電池性能提升的機制
基于上述結果,研究提出了 ALD 薄膜提升電池性能的可能機制。非均勻的低循環(huán) ALD 薄膜可能通過(guò)在前面 10 個(gè)循環(huán)內產(chǎn)生的未受阻的路徑促進(jìn) Li 離子的移動(dòng),這些路徑由于表面覆蓋的非均勻性而使部分Li暴露。顯然,ALD 優(yōu)先在正極顆粒表面的過(guò)渡金屬結合位點(diǎn)上沉積,并在最初幾個(gè)循環(huán)中較少地覆蓋表面 Li 。對于 2nm 以下薄膜而言,了解此處報告的優(yōu)先沉積對于未來(lái)先進(jìn)工程正極顆粒表面至關(guān)重要,其中控制表面組分的穩定可能產(chǎn)生一類(lèi)新的高性能正極。
總結與結論
本研究通過(guò)實(shí)驗和分析,揭示了 ALD 氧化鋁薄膜在 NMC 正極材料上的生長(cháng)特性和機制。研究發(fā)現,低循環(huán)次數下 ALD 薄膜的生長(cháng)是非均勻的,這種非均勻性可能對電池性能有積極影響。非均勻的 ALD 薄膜在穩定過(guò)渡金屬氧化物的同時(shí),并未阻斷鋰離子的插層通道,從而提高了電池正極活性材料的循環(huán)穩定性。這一發(fā)現對于理解 ALD 薄膜如何提升電池性能具有重要意義,并為未來(lái)正極材料表面改性提供了新的思路。